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IS61LPS25632D-133TQ: 产品描述Cache SRAM, 256KX32, 4ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小144KB，共20页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61LPS25632D-133TQ概述

Cache SRAM, 256KX32, 4ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP
包装说明	TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	100
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.04 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm

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