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TMX44C259-10N

产品描述256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 100ns, PDIP20
产品类别存储    存储   
文件大小97KB,共4页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

TMX44C259-10N概述

256KX4 NIBBLE MODE DRAM, 100ns, PDIP20

TMX44C259-10N规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式NIBBLE
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T20
长度24.325 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
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