电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HY5PS121621FP-Y5

产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84
产品类别存储    存储   
文件大小606KB,共35页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HY5PS121621FP-Y5概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84

HY5PS121621FP-Y5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA84,9X15,32
针数84
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B84
JESD-609代码e1
长度14 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA84,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.008 A
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度12 mm

文档预览

下载PDF文档
HY5PS12421FP
HY5PS12821FP
HY5PS121621FP
512Mb DDR2 SDRAM
HY5PS12421FP
HY5PS12821FP
HY5PS121621FP
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 1.0/ Feb. 2005
1

HY5PS121621FP-Y5相似产品对比

HY5PS121621FP-Y5 HY5PS121621FP-C4 HY5PS12821FP-Y5 HY5PS121621FP-E3 HY5PS12821FP-E3 HY5PS12421FP-C4 HY5PS12421FP-Y5 HY5PS12421FP-E3 HY5PS12821FP-C4
描述 DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84 DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84 DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, LEAD FREE, FBGA-84 DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32
针数 84 84 60 84 60 60 60 60 60
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.5 ns 0.45 ns 0.6 ns 0.6 ns 0.5 ns 0.45 ns 0.6 ns 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz 266 MHz 333 MHz 200 MHz 200 MHz 266 MHz 333 MHz 200 MHz 266 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B60 R-PBGA-B84 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1
长度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 8 16 8 4 4 4 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 84 84 60 84 60 60 60 60 60
字数 33554432 words 33554432 words 67108864 words 33554432 words 67108864 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words 67108864 words
字数代码 32000000 32000000 64000000 32000000 64000000 128000000 128000000 128000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 32MX16 32MX16 64MX8 32MX16 64MX8 128MX4 128MX4 128MX4 64MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32 BGA60,9X11,32 BGA84,9X15,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260 260 260
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
最大待机电流 0.008 A 0.007 A 0.008 A 0.006 A 0.006 A 0.007 A 0.008 A 0.006 A 0.007 A
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20 20 20 20 20 20
宽度 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm
为什么我用EEPROM是用int声明变量,但是只有255个啊
为什么我用EEPROM是用int声明变量,但是只有255个啊...
ylf175300 51单片机
电源杂讯干扰的处理
一般而言,电源杂讯干扰的传播途径可分为下列二大类:?? 一、普通模式(Normal Mode):简称通模,指的就是二组输入电源线之间的杂讯。这些杂讯大多是由开关动作或者是静态功率转换器等干 ......
songbo 工业自动化与控制
微控制器MCU处理LED亮度控制原理
微控制器MCU通常被认为是数字器件。在缺省情况下,其输出电压电平要么是高,要么就是低,不会是一个不高不低值。为了实现LED亮度控制这一要求,首先浮现在脑海中的方法就是使用一个标准的数模 ......
火辣西米秀 微控制器 MCU
编程求助
源码: #include unsigned char byte = {0}; void main(void) { while(1) { } } 生成代码:(Flash) :02000000A8C096 :0200120015C116 :0200160019C10E :14002600 ......
wensir Microchip MCU
《TM4C123微处理器原理与实践》 第二章TM4C123微处理器简介
TM4C123是TI公司基于Cortex-M4F内核的32位处理器; 2.1TM4C123微处理器的特点 基于Cortex-M4F内核,具有高效的信号处理及浮点运算功能,同时集成了高级运动控制PWM(Pulse Width Modulation ......
studio 微控制器 MCU
【TIDesigns】推荐5款工业应用参考设计
用于可编程逻辑控制器 (PLC) 的 16 位模拟输出模块参考设计描述 此参考设计提供适用于可编程逻辑控制器 (PLC) 的完整的 4 通道、16 位模拟输出模块设计。此设计经过全面测试,符合适用于 ......
EWORLD社区 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1969  1567  568  925  1402  48  21  23  46  50 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved