PYA28C256E-25LMB,PYA28C256E-25LMB pdf中文资料,PYA28C256E-25LMB引脚图,PYA28C256E-25LMB电路-Datasheet-电子工程世界

PYA28C256E-25LMB: 产品描述Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Software Data Protection; 产品类别存储存储; 文件大小653KB，共14页; 制造商Pyramid Semiconductor Corporation; 官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/

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PYA28C256E-25LMB概述

Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Software Data Protection

参数名称	属性值
包装说明	0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
Reach Compliance Code	compli
最长访问时间	200 ns
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
长度	13.97 mm
内存密度	262144 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	32KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
编程电压	5 V
座面最大高度	1.905 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
Base Number Matches	1

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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