电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MTA15N06

产品描述Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MTA15N06概述

Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

MTA15N06规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值50 W
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

MTA15N06相似产品对比

MTA15N06 MTW22N20E MTA8N10E
描述 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED DRAIN ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V 200 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A 22 A 8 A
最大漏极电流 (ID) 15 A 22 A 8 A
最大漏源导通电阻 0.085 Ω 0.15 Ω 0.25 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-247 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 50 W 150 W 35 W
最大功率耗散 (Abs) 50 W 150 W 35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches - 1 1
研华汽车变速箱检测系统 ZT
汽车的实际使用情况非常复杂,如起步、怠速停车、低速或高速行驶、加速、减速、爬坡和倒车等,这就要求汽车的驱动力和车速能在相当大的范围内变化,而目前广泛采用的活塞式发动机的输出转矩和转速变化范围较小。为了适应经常变化的行驶条件,同时使发动机在有利的工况下(功率较高、油耗较低)工作,在传动系统中设置了变速箱。汽车变速箱是汽车零配件中技术含量最高的产品之一,其中较为关键的环节是在线检测,要在生产线上实际模...
qfc 工控电子
C51入门教程英语 网页
[url=http://www.esacademy.com/automation/docs/c51primer/c51prim.htm]http://www.esacademy.com/automation/docs/c51primer/c51prim.htm[/url]C51 Primer[align=center]by [b]Mike Beach[/b], [url=http://www.hi...
tsb00 51单片机
成功开发了中星微301H摄像头的wince驱动
这段时间成功的开发了中星微301H摄像头的wince驱动和视频采集程序。详见http://blog.eeworld.net/wincemobile...
chen870170 WindowsCE
聊聊简评STM32L476-NUCLEO
[i=s] 本帖最后由 hanskying666 于 2015-9-23 09:12 编辑 [/i]如题,这周一收到了论坛寄给的STM32L476-NUCLEO评估板,上电看到LED在闪烁:这几天就忙着网上搜资料,查相关的知识,业余时间有限,先简单说明几点:1、L476的编译器:在这先说明一下,STM32L476-NUCLEO的编译我使用的IAR,STM32L476实在是太新了:lol,之前的IA...
hanskying666 stm32/stm8
C程序问题
怎么发不上...
zjjone1023 嵌入式系统
2013-MSP430技术日.pdf资料
[size=6][color=darkred][b][/b][/color][/size][[i] 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2013-8-20 18:00 编辑 [/i]]...
qwqwqw2088 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 196  351  1018  1659  1671 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved