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IRFD112R

产品描述800mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小169KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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IRFD112R概述

800mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

IRFD112R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.8 A
最大漏极电流 (ID)0.8 A
最大漏源导通电阻0.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRFD112R相似产品对比

IRFD112R IRFD110R IRFD113 IRFD113R IRFD112 IRFD111 IRFD111R
描述 800mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 1000mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 800mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 800mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 800mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 1000mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 1000mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 80 V 80 V 100 V 80 V 80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.8 A 1 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 1 A 1 A
最大漏极电流 (ID) 0.8 A 1 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A 1 A 1 A
最大漏源导通电阻 0.8 Ω 0.6 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 0.6 Ω 0.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDIP-T3 R-PDIP-T3 R-XDIP-T4 R-PDIP-T3 R-XDIP-T4 R-XDIP-T4 R-PDIP-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 4 3 4 4 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W 1 W 1 W 1 W 1 W
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified - - Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
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