11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SEMELAB |
| 零件包装代码 | TO-204AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 81 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.35 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-3 |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 50 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRF9130-JQR-B | IRF9130R1 | IRF9130-JQR-BR1 | IRF9130-QR-B | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN | 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN | 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN | 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SEMELAB | SEMELAB | SEMELAB | SEMELAB |
| 零件包装代码 | TO-204AA | TO-204AA | TO-204AA | TO-204AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 81 mJ | 81 mJ | 81 mJ | 81 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 11 A | 11 A | 11 A | 11 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.35 Ω | 0.35 Ω | 0.35 Ω | 0.35 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-3 | TO-3 | TO-3 | TO-3 |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 50 A | 50 A | 50 A | 50 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
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