IRF130SMD05DSG-JQR-B,IRF130SMD05DSG-JQR-B pdf中文资料,IRF130SMD05DSG-JQR-B引脚图,IRF130SMD05DSG-JQR-B电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF130SMD05DSG-JQR-B

IRF130SMD05DSG-JQR-B: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AA, HERMETIC SEALED, SMD05, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小789KB，共37页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/

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IRF130SMD05DSG-JQR-B概述

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AA, HERMETIC SEALED, SMD05, 3 PIN

IRF130SMD05DSG-JQR-B规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	11 A
最大漏源导通电阻	0.22 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-276AA
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON

IRF130SMD05DSG-JQR-B相似产品对比

	IRF130SMD05DSG-JQR-B	IRF130SMD05N
描述	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AA, HERMETIC SEALED, SMD05, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AA, HERMETIC SEALED, SMD05, 3 PIN
厂商名称	TT Electronics plc	TT Electronics plc
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	11 A	11 A
最大漏源导通电阻	0.22 Ω	0.22 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-276AA	TO-276AA
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	44 A	44 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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