Bi-Directional FIFO, 512X18, 35ns, Synchronous, MOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | PLASTIC, LCC-52 |
针数 | 52 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 35 ns |
其他特性 | IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 1K X 9 |
最大时钟频率 (fCLK) | 22.2 MHz |
周期时间 | 45 ns |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J52 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 19.1262 mm |
内存密度 | 9216 bit |
内存集成电路类型 | BI-DIRECTIONAL FIFO |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 52 |
字数 | 512 words |
字数代码 | 512 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 512X18 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | NO |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC52,.8SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm |
最大待机电流 | 0.03 A |
最大压摆率 | 0.22 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | MOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 19.1262 mm |
IDT72510L35J | IDT72520L35J | IDT72520L50J | IDT72510L50J | |
---|---|---|---|---|
描述 | Bi-Directional FIFO, 512X18, 35ns, Synchronous, MOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | Bi-Directional FIFO, 1KX18, 35ns, Synchronous, MOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | Bi-Directional FIFO, 1KX18, 50ns, Synchronous, MOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | Bi-Directional FIFO, 512X18, 50ns, Synchronous, MOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | LCC | LCC | LCC | LCC |
包装说明 | PLASTIC, LCC-52 | PLASTIC, LCC-52 | PLASTIC, LCC-52 | PLASTIC, LCC-52 |
针数 | 52 | 52 | 52 | 52 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 35 ns | 35 ns | 50 ns | 50 ns |
其他特性 | IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 1K X 9 | IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 2K X 9 | IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 2K X 9 | IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 1K X 9 |
周期时间 | 45 ns | 45 ns | 65 ns | 65 ns |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J52 | S-PQCC-J52 | S-PQCC-J52 | S-PQCC-J52 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 19.1262 mm | 19.1262 mm | 19.1262 mm | 19.1262 mm |
内存密度 | 9216 bit | 18432 bit | 18432 bit | 9216 bit |
内存集成电路类型 | BI-DIRECTIONAL FIFO | BI-DIRECTIONAL FIFO | BI-DIRECTIONAL FIFO | BI-DIRECTIONAL FIFO |
内存宽度 | 18 | 18 | 18 | 18 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 52 | 52 | 52 | 52 |
字数 | 512 words | 1024 words | 1024 words | 512 words |
字数代码 | 512 | 1000 | 1000 | 512 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 512X18 | 1KX18 | 1KX18 | 512X18 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
可输出 | NO | NO | NO | NO |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC52,.8SQ | LDCC52,.8SQ | LDCC52,.8SQ | LDCC52,.8SQ |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm | 4.57 mm | 4.57 mm | 4.57 mm |
最大待机电流 | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A |
最大压摆率 | 0.22 mA | 0.22 mA | 0.22 mA | 0.22 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | MOS | MOS | MOS | MOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
宽度 | 19.1262 mm | 19.1262 mm | 19.1262 mm | 19.1262 mm |
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