DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SK Hynix(海力士) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LFBGA, BGA78,9X13,32 |
针数 | 78 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 667 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B78 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 11 mm |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 78 |
字数 | 536870912 words |
字数代码 | 512000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 512MX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LFBGA |
封装等效代码 | BGA78,9X13,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
电源 | 1.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
座面最大高度 | 1.35 mm |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.02 A |
最大压摆率 | 0.325 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 7.9 mm |
H5TQ2G43BMR-H9C | H5TQ2G83BMR-G7C | H5TQ2G83BMR-H9C | H5TQ2G43BMR-G7C | |
---|---|---|---|---|
描述 | DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78 | DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78 | DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78 | DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) |
零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | LFBGA, BGA78,9X13,32 | LFBGA, BGA78,9X13,32 | LFBGA, BGA78,9X13,32 | LFBGA, BGA78,9X13,32 |
针数 | 78 | 78 | 78 | 78 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 667 MHz | 533 MHz | 667 MHz | 533 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B78 | R-PBGA-B78 |
JESD-609代码 | e1 | e1 | e1 | e1 |
长度 | 11 mm | 11 mm | 11 mm | 11 mm |
内存密度 | 2147483648 bit | 2147483648 bit | 2147483648 bit | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 4 | 8 | 8 | 4 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 78 | 78 | 78 | 78 |
字数 | 536870912 words | 268435456 words | 268435456 words | 536870912 words |
字数代码 | 512000000 | 256000000 | 256000000 | 512000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
组织 | 512MX4 | 256MX8 | 256MX8 | 512MX4 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LFBGA | LFBGA | LFBGA | LFBGA |
封装等效代码 | BGA78,9X13,32 | BGA78,9X13,32 | BGA78,9X13,32 | BGA78,9X13,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
电源 | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 |
座面最大高度 | 1.35 mm | 1.35 mm | 1.35 mm | 1.35 mm |
自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
最大待机电流 | 0.02 A | 0.02 A | 0.02 A | 0.02 A |
最大压摆率 | 0.325 mA | 0.335 mA | 0.335 mA | 0.28 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V | 1.575 V | 1.575 V | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V | 1.425 V | 1.425 V | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | 7.9 mm | 7.9 mm | 7.9 mm | 7.9 mm |
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