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H5TQ2G43BMR-H9C

产品描述DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78
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文件大小791KB,共76页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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H5TQ2G43BMR-H9C概述

DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78

H5TQ2G43BMR-H9C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA, BGA78,9X13,32
针数78
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)667 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B78
JESD-609代码e1
长度11 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量78
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织512MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA78,9X13,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.35 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.02 A
最大压摆率0.325 mA
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度7.9 mm

H5TQ2G43BMR-H9C相似产品对比

H5TQ2G43BMR-H9C H5TQ2G83BMR-G7C H5TQ2G83BMR-H9C H5TQ2G43BMR-G7C
描述 DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78 DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78 DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, FBGA-78 DDR DRAM, 512MX4, CMOS, PBGA78, FBGA-78
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 LFBGA, BGA78,9X13,32 LFBGA, BGA78,9X13,32 LFBGA, BGA78,9X13,32 LFBGA, BGA78,9X13,32
针数 78 78 78 78
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 667 MHz 533 MHz 667 MHz 533 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78 R-PBGA-B78
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1
长度 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 4 8 8 4
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 78 78 78 78
字数 536870912 words 268435456 words 268435456 words 536870912 words
字数代码 512000000 256000000 256000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 512MX4 256MX8 256MX8 512MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA
封装等效代码 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32 BGA78,9X13,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.35 mm 1.35 mm 1.35 mm 1.35 mm
自我刷新 YES YES YES YES
最大待机电流 0.02 A 0.02 A 0.02 A 0.02 A
最大压摆率 0.325 mA 0.335 mA 0.335 mA 0.28 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 7.9 mm 7.9 mm 7.9 mm 7.9 mm
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