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BFR30L

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BFR30L概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236AB

BFR30L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压25 V
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)1.5 pF
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

BFR30L相似产品对比

BFR30L BFR31L
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236AB 25V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 25 V 25 V
FET 技术 JUNCTION JUNCTION
最大反馈电容 (Crss) 1.5 pF 1.5 pF
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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