SSM3K320T
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS½(U-MOSⅣ)
SSM3K320T
○
超高速スイッチング
•
•
4.5V 駆動です
オン抵抗が½い
単½:
mm
: R
on
= 77 mΩ (max) (@V
GS
= 4.5 V)
: R
on
= 50 mΩ (max) (@V
GS
= 10 V)
+0.2
2.8-0.3
+0.2
1.6-0.1
0.4±0.1
３
0.15
絶対最大定格
(Ta = 25°C)
2.9±0.2
0.95
項
目
記号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(注 1)
(注 1)
(注 2)
t=5s
T
ch
T
stg
定格
30
±20
4.2
8.4
700
1400
150
−55~150
単½
V
V
1.9±0.2
１
２
ド レ イ ン ・ ½ ー ス 間 電 圧
ゲ ー ト ・ ½ ー ス 間 電 圧
ド
レ
イ
ン
電
流
DC
パルス
損
温
温
失
度
度
0.95
チ
保
ャ
存
ネ
ル
°C
°C
1:
ゲート
注:
本½品の½用条件 (½用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内
での½用においても½高負荷 (高温および大電流/高電圧印加½多
大な温度変化等) で連続して½用される場合は½信頼性が著しく½
下するおそれがあります。
弊社半導½信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報
(信頼性試験レポート½推定故障率等) をご確認の上½適切な信頼性
設計をお願いします。
TSM
JEDEC
JEITA
東
芝
2:
½ース
3:
ドレイン
―
―
2-3S1A
質量:
10 mg (標準)
注 1: ジャンクション温度が 150℃を超えることのない放熱条件でご½
用ください。
2
注 2: FR4 基板実装時(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm, Cu Pad: 645 mm )
現品表示
3
内部接続
(top view)
3
KDZ
1
2
1
2
1
2009-04-23
0½0.1
ド
レ
イ
ン
mW
0.7±0.05
A
0.16±0.05
SSM3K320T
電気的特性
(Ta = 25°C)
項
目
記 号
V
(BR) DSS
V
(BR) DSX
ド
ゲ
ゲ
レ
ー
ー
ト
イ
ン
ト
し
し
漏
き
ゃ
れ
い
値
断
電
電
電
流
流
圧
I
DSS
I
GSS
V
th
⏐Y
fs
⏐
R
DS (ON)
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
on
t
off
V
DSF
V
DD
=
15 V, I
D
=
2.1 A,
V
GS
=
0~10 V, R
G
=
4.7
Ω
I
D
=
-4.2 A, V
GS
=
0 V
(注 3)
V
DS
= 24 V, I
D
=4.2 A, V
GS
= 10 V
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V, f
=
1 MHz
測 定 条 件
I
D
=
10 mA, V
GS
=
0 V
I
D
=
10 mA, V
GS
=
-20 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0 V
V
GS
= ±
20 V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
10 V, I
D
=
1 mA
V
DS
=
10 V, I
D
=
2.1 A
I
D
=
2.1 A, V
GS
=
10 V
I
D
=
2.1 A, V
GS
=
4.5 V
(注 3)
(注 3)
(注 3)
最小
30
10
⎯
⎯
1.3
7.0
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
標準
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
14.0
38
58
190
65
45
4.6
3.2
1.4
9.0
12.0
-0.90
最大
⎯
⎯
10
±0.1
2.5
⎯
50
77
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
-1.2
ns
V
nC
pF
単½
V
μA
μA
V
S
mΩ
ドレイン½½ース間降伏電圧
順 方 向 伝 達 ア ド ミ タ ン ス
ドレイン½½ース間オン抵抗
入
出
帰
総
ゲ
力
力
還
ー
ト
容
容
容
電
荷
量
量
量
量
ゲ ー ト ・ ½ ー ス 間 電 荷 量
ゲ ー ト ・ ド レ イ ン 間 電 荷 量
スイッチング時間
ターンオン時間
ターンオフ時間
ドレイン½½ース間ダイオード順電圧
注
3:
パルス測定
スイッチング特性測定条件
(a)
測定回路
10 V
0
10
μs
V
DD
=
15 V
R
G
=
4.7
Ω
繰り返し周期
<
1%
=
入力:
t
r
, t
f
<
5 ns
½ース接地
Ta
=
25°C
OUT
IN
0V
R
G
10%
(b)
入力波½
10V
90%
V
DD
(c)
出力波½
V
DD
10%
90%
t
r
t
on
t
f
t
off
V
DS (ON)
取り扱い上の注意
この½品は構造上静電気に弱いため½品を取り扱う際½½業台½人½はんだごてなどに対し必ず静電対策を
講じてください。
½用上の注意
V
th
とは½ある½い動½電流値
(本½品においては I
D
=
1mA)
になるときのゲート½½ース間電圧で表されます。通常
のスイッチング動½の場合½V
GS (on)
は
V
th
より十分高い電圧½V
GS (off)
は
V
th
より½い電圧にする必要があります。
(V
GS (off)
<
V
th
<
V
GS (on)
)
ご½用する際には十分注意願います。
2
2009-04-23
SSM3K320T
I
D
– V
DS
10
10 V
6.0 V
5.0V
4.5 V
10
½ース接地
VDS
=
10 V
I
D
– V
GS
(A)
8
(A)
ドレイン電流
V
GS
= 4.0 V
1
I
D
6
ドレイン電流
I
D
0.1
Ta
=
100 °C
25 °C
4
0.01
2
½ース接地
Ta
=
25 °C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
−
25 °C
0
0.001
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
ドレイン・½ース間電圧
V
DS
(V)
ゲート½½ース間電圧
V
GS
(V)
R
DS (ON)
– V
GS
200
ID
=2.1A
½ース接地
200
½ース接地
Ta
=
25°C
R
DS (ON)
– I
D
ドレイン½½ース間オン抵抗
R
DS (ON)
(mΩ)
ドレイン½½ース間オン抵抗
R
DS (ON)
(mΩ)
100
25 °C
Ta
=
100 °C
100
4.5 V
V
GS
= 10
Ｖ
−
25 °C
0
0
10
20
0
0
2
4
6
8
ゲート½½ース間電圧
V
GS
(V)
ドレイン電流
I
D
(A)
R
DS (ON)
– Ta
120
½ース接地
2.5
V
th
– Ta
½ース接地
VDS
=
10 V
ID
=
1 mA
100
(V)
V
th
2.1A / 4.5 V
ドレイン½½ース間オン抵抗
R
DS (ON)
(mΩ)
2.0
80
60
ゲートしきい値電圧
1.5
1.0
40
ID
=
2.1 A / VGS
=
10 V
0.5
20
0
−50
0
50
100
150
0
−50
0
50
100
150
周囲温度
Ta
(°C)
周囲温度
Ta
(°C)
3
2009-04-23
SSM3K320T
|Y
fs
| – I
D
30
10
½ース接地
10 VDS
=
10 V
½ース接地
VGS
=
0 V
D
I
DR
– V
DS
⎪Y
fs
⎪
(S)
(A)
Ta
=
25 °C
3
1
G
1
S
I
DR
順方向伝達アドミタンス
0.3
0.1
ドレイン逆電流
I
DR
−25
°C
0.1
100 °C
25 °C
0.03
0.01
0.001
0.01
0
0.01
0.1
1
10
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
ドレイン電流
I
D
(A)
ドレイン½½ース間電圧
V
DS
(V)
1000
C – V
DS
1000
t – I
D
½ース接地
VDD
=
15 V
VGS
=
0 to 10V
Ta
=
25 °C
RG
=
4.7
Ω
(pF)
300
Ciss
100
(ns)
toff
tf
100
スイッチング時間
端子間容量
C
t
Coss
30
½ース接地
Ta
=
25 °C
f
=
1 MHz
VGS
=
0 V
1
10
Crss
10
ton
tr
10
0.1
100
1
0.01
0.1
1
10
ドレイン½½ース間電圧
V
DS
(V)
ドレイン電流
I
D
(A)
ダイナミック入力特性
10
½ース接地
ID
=
4.2A
Ta
=
25°C
(V)
V
GS
ゲート½½ース間電圧
8
6
VDD=24V
4
2
0
0
1
2
3
4
5
ゲート電荷量
Qg
(nC)
4
2009-04-23
SSM3K320T
r
th
1000
–
t
w
1000
b
P
D
– T
a
a:FR4
基板実装時
(25.4mm × 25.4mm × 1.6mm ,
Cu Pad : 645 mm
2
)
b:FR4
基板実装時
(25.4mm × 25.4mm × 1.6mm ,
Cu Pad : 0.8 mm
2
×3)
過渡熱抵抗
Rth (°C/W)
許容損失
P
D
(mW)
800
a
100
a
600
400
b
10
a:FR4
基板実装時
(25.4mm × 25.4mm × 1.6mm ,
Cu Pad : 645 mm
2
)
b:FR4
基板実装時
(25.4mm × 25.4mm × 1.6mm ,
2
Cu Pad : 0.8 mm ×3)
0.01
0.1
1
10
100
1000
200
1
0.001
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
パルス幅
t
w
(s)
周囲温度
T
a
(°C)
5
2009-04-23
FPGA/CPLD
京公网安备 11010802033920号
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