Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Fairchild |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 200 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 48 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.025 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 144 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| NDB6050LL99Z | NDP6050LJ69Z | NDB6050LS62Z | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3 |
| 厂商名称 | Fairchild | Fairchild | Fairchild |
| 零件包装代码 | D2PAK | TO-220AB | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 200 mJ | 200 mJ | 200 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V | 50 V | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 48 A | 48 A | 48 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.025 Ω | 0.025 Ω | 0.025 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-220AB | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 144 A | 144 A | 144 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO | YES |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 外壳连接 | DRAIN | - | DRAIN |
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