NDB6050L86Z,NDB6050L86Z pdf中文资料,NDB6050L86Z引脚图,NDB6050L86Z电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NDB6050L86Z

NDB6050L86Z: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小226KB，共6页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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NDB6050L86Z概述

Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

NDB6050L86Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	200 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V
最大漏极电流 (ID)	48 A
最大漏源导通电阻	0.025 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	144 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

NDB6050L86Z相似产品对比

	NDB6050L86Z	NDP6050S62Z
描述	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
厂商名称	Fairchild	Fairchild
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	200 mJ	200 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V	50 V
最大漏极电流 (ID)	48 A	48 A
最大漏源导通电阻	0.025 Ω	0.025 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
元件数量	1	1
端子数量	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	144 A	144 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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