10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
10 A, 100 V, 0.22 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 3 |
| 最小击穿电压 | 100 V |
| 加工封装描述 | 铅 FREE PACKAGE-3 |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | 凸缘安装 |
| 端子形式 | THROUGH-孔 |
| 端子涂层 | MATTE 锡 OVER 镍 |
| 端子位置 | 单一的 |
| 包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
| 结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
| 壳体连接 | DRAIN |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | 开关 |
| 晶体管元件材料 | 硅 |
| 通道类型 | N沟道 |
| 场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | ENHANCEMENT |
| 晶体管类型 | 通用电源 |
| 最大漏电流 | 10 A |
| 额定雪崩能量 | 85 mJ |
| 最大漏极导通电阻 | 0.2200 ohm |
| 最大漏电流脉冲 | 35 A |
| IRL520NPBF_15 | IRL520NPBF | |
|---|---|---|
| 描述 | 10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 端子形式 | THROUGH-孔 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | 单一的 | SINGLE |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | 开关 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | 硅 | SILICON |
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