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QS8201-35P6

产品描述FIFO, 512X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28,
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文件大小866KB,共16页
制造商Quality Semiconductor Inc
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QS8201-35P6概述

FIFO, 512X9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28,

QS8201-35P6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Quality Semiconductor Inc
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间35 ns
最大时钟频率 (fCLK)22.22 MHz
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
端子数量28
字数512 words
字数代码512
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X9
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

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