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HB56D836SBR-7

产品描述Fast Page DRAM Module, 8MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72
产品类别存储    存储   
文件大小310KB,共24页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56D836SBR-7概述

Fast Page DRAM Module, 8MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72

HB56D836SBR-7规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SSIM72
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度301989888 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度31.75 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.024 A
最大压摆率1.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE

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HB56D836BR/SBR Series,
HB56D436BR/SBR Series
8,388,608-word
×
36-bit High Density Dynamic RAM Module
4,194,304-word
×
36-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-729A (Z)
Rev.1.0
Feb. 20, 1997
Description
The HB56D836BR/SBR is a 8M
×
36 dynamic RAM module, mounted 16 pieces of 16-Mbit DRAM
(HM5117400) sealed in SOJ package and 8 pieces of 4-Mbit DRAM (HM514100) sealed in SOJ package.
The HB56D436BR/SBR is a 4M
×
36 dynamic RAM module, mounted 8 pieces of 16-Mbit DRAM
(HM5117400) sealed in SOJ package and 4 pieces of 4-Mbit DRAM (HM514100) sealed in SOJ package.
An outline of the HB56D836BR/SBR, HB56D436BR/SBR is 72-pin single in-line package. Therefore, the
HB56D836BR/SBR, HB56D436BR/SBR make high density mounting possible without surface mount
technology. The HB56D836BR/SBR, HB56D436BR/SBR provide common data inputs and outputs.
Decoupling capacitors are mounted on the module board.
Features
72-pin single in-line package
Outline: 107.95 mm (Length)
×
31.75/25.40 mm (Height)
×
9.14 mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27 mm
Single 5 V (±5%) supply
High speed
Access time: t
RAC
= 60/70ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 6.41/5.78 W (max) (HB56D836BR/SBR Series)
6.09/5.46 W (max) (HB56D436BR/SBR Series)
Standby mode (TTL): 252 mW (max) (HB56D836BR/SBR Series)
(TTL): 126 mW (max) (HB56D436BR/SBR Series)
(CMOS): 16.8 mW (max) (L-version) (HB56D836BR/SBR Series)
(CMOS): 8.4 mW (max) (L-version) (HB56D436BR/SBR Series)
Fast page mode capability

 
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