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SSTA14

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小120KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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SSTA14概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

SSTA14规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量10 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)20000
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz
VCEsat-Max1.5 V

SSTA14文档预览

Transistors
USA / European specification models types
[Surface mounting type]
FUMT3
/ NPN type
General purpose small signal amplifiers
UMT3 package
FUMT3
/ PNP type
General purpose small signal amplifiers
UMT3 package
General purpose amplification and switching
General purpose amplification and switching
83
Transistors
FSST3
S
SMT3 / PNP type (cont.)
General purpose amplification and switching
USA / European specification models types
SST3 package
SMT3 package
Medium power amplification
Darlington pair type
High frequency applications
85
Transistors
FSST3
S
SMT3 / PNP type
General purpose amplification and switching (cont.)
USA / European specification models types
SST3 package
SMT3 package
Medium power amplification
Darlington pair type
FMPT3
/ NPN type
MPT3 package
FMPT3
/ PNP type
MPT3 package
87

SSTA14相似产品对比

SSTA14 SST6427 MMSTA64 MMSTA20
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.3 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 30 V 40 V 30 V 40 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20000 14000 20000 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN PNP NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 125 MHz 250 MHz 125 MHz 125 MHz
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
JESD-609代码 e1 e1 e1 -
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) TIN SILVER COPPER -
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