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V58C2512804SDLH33E

产品描述DDR DRAM, 64MX8, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, MO-207, BGA-144
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文件大小1MB,共61页
制造商ProMOS Technologies Inc
标准
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V58C2512804SDLH33E概述

DDR DRAM, 64MX8, CMOS, PBGA144, ROHS COMPLIANT, MO-207, BGA-144

V58C2512804SDLH33E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ProMOS Technologies Inc
零件包装代码DSBGA
包装说明TBGA,
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B144
长度12 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10 mm
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