电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

HSMS-2825T32

产品描述Mixer Diode, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小158KB,共6页
制造商Hewlett Packard Co
下载文档 详细参数 全文预览

HSMS-2825T32概述

Mixer Diode, Silicon

HSMS-2825T32规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hewlett Packard Co
包装说明R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压8 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容1 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量2
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
脉冲输入最大功率0.25 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流0.1 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 237  782  852  1554  1582 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved