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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> TSS42LRW
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TSS42LRW

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小181KB，共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSS42LRW概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,

TSS42LRW规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PBCC-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PBCC-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM

TSS42LRW文档预览

TSS42L/TSS43L
0.2Amp Surface Mount Schottky
Barrier Diode
Small Signal Product
Features
◇
Designed for mounting on small surface
◇
Extremely thin/leadless package
◇
Low capacitance
◇
Low forward voltage drop
◇
High temperature soldering :
260
o
C/10 seconds at terminals
◇
Chip version in 1005
1005
Mechanical Data
◇
Case : 1005 Standard package, molded plastic
◇
Terminals : Gold plated, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
◇
Polarity : Indicated by cathode band
◇
Mounting position : Any
◇
Package code : RW
◇
Weight : 0.006 grams (approximately)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current
Repetitive Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half
Sine-Wave Superimposed on Rate Load (JEDEC Method)
Power Dissipation
Forward Voltage
TSS42L/43L
TSS42L
TSS42L
TSS43L
Reverse Leakage Current
TSS43L
V
R
= 25 V
I
F
= 200 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 2 mA
I
F
= 15 mA
Symbol
V
RRM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FRM
I
FSM
Pd
TSS42L/TSS43L
30
30
21
200
0.5
400
200
1.0
0.4
Units
V
V
V
mA
A
mA
mW
V
F
0.65
0.33
0.45
V
I
R
C
J
Trr
T
J
T
STG
0.5
10
5
-55 to + 125
-55 to + 125
μA
pF
nS
o
o
Typical Capacitance Between Terminals
( V
R
=1V, f=1.0MHz Reverse Voltage)
Reverse Recovery Time
( I
F
=I
R
=10mA, Irr=0.1×I
R
, R
L
=100Ω)
Junction Temperature
Storage Temperature
C
C
Version：B14
Small Signal Product
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVE ( TSS42L / TSS43L )
Fig.1 Forward Characteristics
1000
125
o
C
1000
Fig. 2 Reverse Characteristics
125
o
C
100
Reverse Current (uA)
10
1
0.1
0.01
0.001
25
o
C
75
o
C
Forward current (mA)
100
75
o
C
10
25
o
C
1
-25
o
C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
10
20
Reverse Voltage (V)
30
40
Forward Voltage (V)
Fig. 3 Capacitance Between Terminals Characteristics
16
Capacitance Between Terminals (pF)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
f=1MHz
T
A
=25
o
C
120
Average Forward Current (mA)
100
80
60
40
20
0
0
25
Fig. 4 Current Derating Curve
50
75
100
125
150
Reverse Voltage (V)
Ambient Temperature (
o
C)
Version：B14
Small Signal Product
Ordering information (Detail, example)
Part No.
TSS4xL
(Note 1)
TSS42L
Package
1005
1005
Packing
4K / 7" Reel
4K / 7" Reel
Packing code
RW
RW
Packing code
(Green)
RWG
RWG
Manufacture code
(Note 2)
Note 1 : "x" is Device Code "2" thru "3".
Note 2 : Manufacture special control, if empty means no special control requirement.
Dimensions
DIM.
L
W
T
C
D
Unit(mm)
Min
2.40
1.10
0.70
-
-
Typ.
-
-
-
0.50
1.00
Max
2.60
1.30
0.90
-
-
Min
0.094
0.043
0.028
-
-
Unit(inch)
Typ.
-
-
-
0.020
0.039
Max
0.102
0.051
0.035
-
-
Version：B14
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TSS42LRW相似产品对比

TSS42LRW TSS42LRWG TSS43LRW TSS43LRWG
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 R-PBCC-N2 R-PBCC-N2 R-PBCC-N2 R-PBCC-N2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PBCC-N2 R-PBCC-N2 R-PBCC-N2 R-PBCC-N2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.005 µs 0.005 µs 0.005 µs 0.005 µs
表面贴装 YES YES YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM

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