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KM41C4001AZ-7

产品描述Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20
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文件大小504KB,共16页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM41C4001AZ-7概述

Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20

KM41C4001AZ-7规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码ZIP
包装说明ZIP, ZIP20,.1
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式NIBBLE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PZIP-T20
JESD-609代码e0
长度26.165 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP20,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度10.16 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2.96 mm

KM41C4001AZ-7相似产品对比

KM41C4001AZ-7 KM41C4001AZ-10 KM41C4001AZ-8 KM41C4001AJ-10 KM41C4001AJ-7 KM41C4001AP-7 KM41C4001AP-10 KM41C4001AP-8 KM41C4001AJ-8
描述 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 ZIP ZIP ZIP SOJ SOJ DIP DIP DIP SOJ
包装说明 ZIP, ZIP20,.1 ZIP, ZIP20,.1 ZIP, ZIP20,.1 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 SOJ, SOJ20/26,.34
针数 20 20 20 20 20 18 18 18 20
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE
最长访问时间 70 ns 100 ns 80 ns 100 ns 70 ns 70 ns 100 ns 80 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PZIP-T20 R-PZIP-T20 R-PZIP-T20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18 R-PDSO-J20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 26.165 mm 26.165 mm 26.165 mm 17.145 mm 17.145 mm 22.02 mm 22.02 mm 22.02 mm 17.145 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20 18 18 18 20
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 ZIP ZIP ZIP SOJ SOJ DIP DIP DIP SOJ
封装等效代码 ZIP20,.1 ZIP20,.1 ZIP20,.1 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 SOJ20/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 3.68 mm 3.68 mm 4.65 mm 4.65 mm 4.65 mm 3.68 mm
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.105 mA 0.085 mA 0.095 mA 0.085 mA 0.105 mA 0.105 mA 0.085 mA 0.095 mA 0.095 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES YES NO NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 2.96 mm 2.96 mm 2.96 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)

 
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