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HB52F88EM-75F: 产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX64, 5.4ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小925KB，共79页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB52F88EM-75F概述

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 5.4ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168

HB52F88EM-75F规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM
包装说明	,
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	8MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL

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HB52F88EM-75F, HB52F89EM-75F,

HB52F168EN-75F, HB52F169EN-75F

64 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus

(HB52F88EM) 8-Mword

64-bit, 1-Bank Module

(8 pcs of 8 M

8 Components)

(HB52F89EM) 8-Mword

72-bit, 1-Bank Module

(9 pcs of 8 M

8 Components)

128 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus

(HB52F168EN) 16-Mword

64-bit, 2-Bank Module

(16 pcs of 8 M

8 Components)

(HB52F169EN) 16-Mword

72-bit, 2-Bank Module

(18 pcs of 8 M

8 Components)

PC133 SDRAM

ADE-203-1019B (Z)

Rev. 1.0

Mar. 9, 2000

Description

The HB52F88EM, HB52F89EM, HB52F168EN, HB52F169EN belong to 8-byte DIMM (Dual In-line

Memory Module) family, and have been developed as an optimized main memory solution for 8-byte

processor applications. They are synchronous Dynamic RAM Module, mounted 64-Mbit SDRAMs

(HM5264805FTT) sealed in TSOP package, and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit) for Presence Detect

(PD). The HB52F88EM is organized 8M

1-bank mounted 8 pieces of 64-Mbit SDRAM. The

HB52F89EM is organized 8M

1-bank mounted 9 pieces of 64-Mbit SDRAM. The HB52F168EN is

organized 8M

2-bank mounted 16 pieces of 64-Mbit SDRAM. The HB52F169EN is organized 8M

2-bank mounted 18 pieces of 64-Mbit SDRAM. An outline of the products is 168-pin socket type

package (dual lead out). Therefore, they make high density mounting possible without surface mount

technology. They provide common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside

each TSOP on the module board.

HB52F88EM-75F相似产品对比

	HB52F88EM-75F	HB52F168EN-75F	HB52F169EN-75F	HB52F89EM-75F
描述	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 5.4ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 5.4ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	536870912 bit	2147483648 bit	2415919104 bit	603979776 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	72	72
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	8388608 words	33554432 words	33554432 words	8388608 words
字数代码	8000000	32000000	32000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C
组织	8MX64	32MX64	32MX72	8MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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