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ES3ABF

产品描述Surface Mount Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 50V, 3A, 0.95V, 3A, 100A
文件大小379KB,共4页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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ES3ABF概述

Surface Mount Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 50V, 3A, 0.95V, 3A, 100A

ES3ABF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码SMBF
包装说明SMBF, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
应用SUPER FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类别
VRRM (V) max50
IF (A) max3
VF (V) max0.95
Condition1_IF (A)3
IFSM (A) max100
IR (uA) max10
Condition2_VR (V)50
trr (ns) max35
最高工作温度150
最低工作温度-55
是否无铅Yes
符合ReachYes
符合RoHSYes
ECCN代码EAR99
Package OutlinesSMBF

ES3ABF相似产品对比

ES3ABF ES3BBF ES3DBF ES3CBF
描述 Surface Mount Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 50V, 3A, 0.95V, 3A, 100A Super Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 100V; IAV MAX (A): 3A; VFM MAX (V): 0.98V; @ IF (A): 3A; IFSM MAX (A): 100A; IR MAX (UA): 5uA; @VR (V): 100V; TRR MAX (NS): 35ns; Package: SMBF Super Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 200V; IAV MAX (A): 3A; VFM MAX (V): 0.98V; @ IF (A): 3A; IFSM MAX (A): 100A; IR MAX (UA): 5uA; @VR (V): 200V; TRR MAX (NS): 35ns; Package: SMBF Super Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 150V; IAV MAX (A): 3A; VFM MAX (V): 0.95V; @ IF (A): 3A; IFSM MAX (A): 100A; IR MAX (UA): 5uA; @VR (V): 150V; TRR MAX (NS): 35ns; Package: SMBF
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SMBF SMBF SMBF SMBF
包装说明 SMBF, 2 PIN SMBF, 2 PIN SMBF, 2 PIN R-PDSO-F2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.95 V 0.95 V 0.95 V 0.95 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 50 V 100 V 200 V 150 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics -
最高工作温度 150 150 150 150 °C
最低工作温度 -55 -55 -55 -55 °C
VRRM (V) max 50 100 200 -
IF (A) max 3 3 3 -
VF (V) max 0.95 0.95 0.95 -
Condition1_IF (A) 3 3 3 -
IFSM (A) max 100 100 100 -
IR (uA) max 10 10 10 -
Condition2_VR (V) 50 100 200 -
trr (ns) max 35 35 35 -
是否无铅 Yes Yes Yes -
符合Reach Yes Yes Yes -
符合RoHS Yes Yes Yes -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
Package Outlines SMBF SMBF SMBF -
Base Number Matches - 1 1 1
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