IS46DR16160A-37CBLA1,IS46DR16160A-37CBLA1 pdf中文资料,IS46DR16160A-37CBLA1引脚图,IS46DR16160A-37CBLA1电路-Datasheet-电子工程世界

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IS46DR16160A-37CBLA1: 产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共48页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS46DR16160A-37CBLA1概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84

IS46DR16160A-37CBLA1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数	84
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	12 weeks
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
JESD-609代码	e1
长度	12.5 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
筛选级别	AEC-Q100
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	8 mm

IS46DR16160A-37CBLA1相似产品对比

	IS46DR16160A-37CBLA1	IS43DR83200A-37CBLI	IS46DR16160A-5BBLA1	IS46DR16160A-5BBLA2	IS43DR83200A-37CBI	IS43DR83200A-3DBLI	IS46DR16160A-37CBA1
描述	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84	DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84	DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-60	DDR DRAM, 32MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	不符合	符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	TFBGA, BGA60,9X11,32	8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TWBGA-84
针数	84	60	84	84	60	60	84
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns	0.5 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz	266 MHz	200 MHz	200 MHz	266 MHz	333 MHz	266 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84
长度	12.5 mm	10.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	12.5 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bi	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	8	16	16	8	8	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	84	60	84	84	60	60	84
字数	16777216 words	33554432 words	16777216 words	16777216 words	33554432 words	33554432 words	16777216 words
字数代码	16000000	32000000	16000000	16000000	32000000	32000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	105 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	16MX16	32MX8	16MX16	16MX16	32MX8	32MX8	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA60,9X11,32	BGA60,9X11,32	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A
最大压摆率	0.27 mA	0.27 mA	0.21 mA	0.21 mA	0.27 mA	0.33 mA	0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	含铅
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Factory Lead Time	12 weeks	-	12 weeks	12 weeks	12 weeks	12 weeks	16 weeks
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	-	e1	e0
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	-	260	NOT SPECIFIED
筛选级别	AEC-Q100	-	AEC-Q100	AEC-Q100	-	-	AEC-Q100
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	-	40	NOT SPECIFIED

IS46DR16160A-37CBLA1

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