N-channel - Enhancement mode
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 315 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 100 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0024 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 400 A |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IPC100N04S4-02 | IPC100N04S4-02_15 | |
|---|---|---|
| 描述 | N-channel - Enhancement mode | N-channel - Enhancement mode |
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