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TC5117405CSJ-60

产品描述IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共32页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC5117405CSJ-60概述

IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM

TC5117405CSJ-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码SOJ
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
针数24
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-J24
长度17.15 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.7 mm

TC5117405CSJ-60相似产品对比

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描述 IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 40 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 40 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM IC 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 SOJ SOJ TSOP SOJ TSOP TSOP
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24
针数 24 24 26/24 24 26/24 26/24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 40 ns 40 ns 50 ns 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24
长度 17.15 mm 17.15 mm 17.14 mm 17.15 mm 17.14 mm 17.14 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ TSOP2 SOJ TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048 2048 2048
座面最大高度 3.7 mm 3.7 mm 1.2 mm 3.7 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND GULL WING J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm
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