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THMD51E30B70

产品描述IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM
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文件大小792KB,共16页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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THMD51E30B70概述

IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM

THMD51E30B70规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度4831838208 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

THMD51E30B70相似产品对比

THMD51E30B70 THMD51E30B80 THMD51E30B75
描述 IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184, Dynamic RAM IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.8 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
内存密度 4831838208 bit 4831838208 bit 4831838208 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 184 184 184
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX72 64MX72 64MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL

 
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