EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCN, |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 250 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.95 mm |
| 内存密度 | 1048576 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 2.54 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11.4 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| Base Number Matches | 1 |
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