Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> TN2460L-2TA

TN2460L-2TA: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小47KB，共2页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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TN2460L-2TA概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA

TN2460L-2TA规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	240 V
最大漏极电流 (ID)	0.076 A
最大漏源导通电阻	60 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	10 pF
JEDEC-95代码	TO-226AA
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON

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描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	76mA, 240V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	240 V	240 V	240 V	240 V	240 V	240 V	240 V	240 V
最大漏极电流 (ID)	0.076 A	0.076 A	0.076 A	0.076 A	0.076 A	0.076 A	0.076 A	0.076 A
最大漏源导通电阻	60 Ω	60 Ω	60 Ω	60 Ω	60 Ω	60 Ω	60 Ω	60 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	10 pF	10 pF	10 pF	10 pF	10 pF	10 pF	10 pF	10 pF
JEDEC-95代码	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	-	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99

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