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L6116LHMB25

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24
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文件大小767KB,共7页
制造商LOGIC Devices
官网地址http://www.logicdevices.com/
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L6116LHMB25概述

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24

L6116LHMB25规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称LOGIC Devices
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP24,.6
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间25 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T24
JESD-609代码e0
长度30.48 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度4.953 mm
最大待机电流0.00005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.115 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm

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