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MRW2001F

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小302KB,共5页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRW2001F概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN

MRW2001F规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)0.25 A
基于收集器的最大容量4 pF
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带S BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)9 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MRW2001F相似产品对比

MRW2001F MRW2010
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 DIFFUSED BALLAST RESISTORS DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接 BASE BASE
最大集电极电流 (IC) 0.25 A 2 A
基于收集器的最大容量 4 pF 12 pF
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10
最高频带 S BAND S BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F2 O-CRFM-F2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最小功率增益 (Gp) 9 dB 7 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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