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SST34HF1621C-70-4C-LSE

产品描述Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA62, 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LFBGA-62
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文件大小452KB,共38页
制造商Silicon Laboratories Inc
标准
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SST34HF1621C-70-4C-LSE概述

Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA62, 8 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-210, LFBGA-62

SST34HF1621C-70-4C-LSE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Silicon Laboratories Inc
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA,
针数62
Reach Compliance Codeunknown
其他特性SRAM IS ORGANIZED AS 128K X 16 / 256K X 8; FLASH CAN ALSO BE ORGANIZED AS 2M X 8
JESD-30 代码R-PBGA-B62
JESD-609代码e3
长度10 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
功能数量1
端子数量62
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度8 mm
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