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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFMMT455
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UFMMT455

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小119KB，共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
标准
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UFMMT455概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

UFMMT455规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压140 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

UFMMT455文档预览

SOT23 NPN SILICON PLANAR
HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996
FEATURES
* 140 Volt V
CEO
* 1 Amp continuous current
* P
tot
= 500 mW
PARTMARKING DETAIL –
455
FMMT455
C
B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
160
140
5
2
1
200
500
-55 to +150
SOT23
UNIT
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition
Frequency
Output Capacitance
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
C
obo
100
10 Typ
100
15
MIN. MAX.
160
140
5
0.1
0.1
0.7
300
MHz
pF
UNIT
V
V
V
µ
A
µ
A
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
V
CB
=140V
V
EB
=4V
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=150mA, V
CE
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
I
C
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
V
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
3 - 110
FMMT455
TYPICAL CHARACTERISTICS
tf
ns
900
tr
tf
800
ts
6
ts
µS
7
0.4
ns
500
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
V
CE
=10V
5
- (Volts)
I
C
/I
B
=10
0.2
Switching time
0.3
400
700
tr
300
600
4
td
3
nS
100
2
200
500
V
0.1
100
400
td
1
50
0
0
300
0.01
0.1
1
0
0
0.001
0.01
0.1
1
I
+
-
Collector Current (Amps)
I
+
-
Collector Current (Amps)
V
CE(sat)
v I
C
Typical Switching Speeds
100
1.0
80
0.8
I
C
/I
B
=10
- Normalised Gain (%)
60
- (Volts)
V
V
CE
=10V
0.6
40
20
0.4
h
0.2
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
I
+
-
Collector Current (Amps)
I
+
-
Collector Current (Amps)
h
FE
v I
C
V
BE(sat)
v I
C
Single Pulse T
est at T
amb
=25°C
10
1.2
V
CE
=10V
1
- (Volts)
1.0
0.8
0.1
0.6
0.01
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
µ
s
V
0.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.1
1
10
100
1000
I
+
-
Collector Current (Amps)
V
CE
- Collector Emitter Voltage (V)
V
BE(on)
v I
C
Safe Operating Area
3 - 111
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UFMMT455相似产品对比

UFMMT455
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Diodes
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 140 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz

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