MOS GATED BARRIER RECTIFIER
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
| 包装说明 | R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 应用 | GENERAL PURPOSE |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.95 V |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 200 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 30 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压 | 80 V |
| 最大反向电流 | 500 µA |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| MGBR30L80L-TA3-T | MGBR30L80G-TA3-T | MGBR30L80 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOS GATED BARRIER RECTIFIER | MOS GATED BARRIER RECTIFIER | MOS GATED BARRIER RECTIFIER |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | - |
| 包装说明 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | - |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 应用 | GENERAL PURPOSE | GENERAL PURPOSE | - |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | - |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - |
| 最大正向电压 (VF) | 0.95 V | 0.95 V | - |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB | - |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | - |
| 最大非重复峰值正向电流 | 200 A | 200 A | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - |
| 相数 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 3 | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | - |
| 最大输出电流 | 30 A | 30 A | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 最大重复峰值反向电压 | 80 V | 80 V | - |
| 最大反向电流 | 500 µA | 500 µA | - |
| 表面贴装 | NO | NO | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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