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IDW10G120C5B

产品描述Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小785KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IDW10G120C5B概述

Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide

IDW10G120C5B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, PD-CASE
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON CARBIDE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.65 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流115 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散332 W
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流124 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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