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MGBR15L30L-T27-R

产品描述MOS GATED BARRIER RECTIFIER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小123KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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MGBR15L30L-T27-R概述

MOS GATED BARRIER RECTIFIER

MGBR15L30L-T27-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明LEAD FREE PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.54 V
JEDEC-95代码TO-277
JESD-30 代码R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流180 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流500 µA
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MGBR15L30L-T27-R相似产品对比

MGBR15L30L-T27-R MGBR15L30 MGBR15L30G-T27-R
描述 MOS GATED BARRIER RECTIFIER MOS GATED BARRIER RECTIFIER MOS GATED BARRIER RECTIFIER
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明 LEAD FREE PACKAGE-3 - HALOGEN FREE PACKAGE-3
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
应用 GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE - CATHODE
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.54 V - 0.54 V
JEDEC-95代码 TO-277 - TO-277
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 - R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流 180 A - 180 A
元件数量 1 - 1
相数 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C
最大输出电流 15 A - 15 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 30 V - 30 V
最大反向电流 500 µA - 500 µA
表面贴装 YES - YES
端子形式 FLAT - FLAT
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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