Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> KM44S32030AN-G

文档预览

KM44S32030AN-G: 产品描述Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54; 产品类别存储存储; 文件大小102KB，共10页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档详细参数选型对比全文预览

KM44S32030AN-G概述

Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54

KM44S32030AN-G规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP,
针数	54
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
长度	11.2 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.4 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

KM44S32030AN-G文档预览

shrink-TSOP

KM44S32030AN

Preliminary

CMOS SDRAM

128Mb SDRAM

Shrink TSOP

8M x 4Bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL

Revision 0.1

April 1999

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

REV. 0.1 Apr. 1999

shrink-TSOP

KM44S32030AN

Revision History

Version 0.0 (April 21. 1999,

Preliminary)

• Preliminary specification for shrink-TSOP(STSOP).

• Based on the standard TSOP-II specification(KM44S32030AT, Rev. 0.0, April 19. 1999).

Preliminary

CMOS SDRAM

Version 0.1 (April 22. 1999,

Preliminary)

• Changed package length from 11.00mm to 11.20mm in the page of

PACKAGE DIMENSIONS.

REV. 0.1 Apr. 1999

shrink-TSOP

KM44S32030AN

Preliminary

CMOS SDRAM

8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM in New Shrink-TSOP(sTSOP)

FEATURES

• JEDEC standard 3.3V power supply

• LVTTL compatible with multiplexed address

• Four banks operation

• MRS cycle with address key programs

- CAS latency (2 & 3)

- Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page )

- Burst type (Sequential & Interleave)

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock.

• Burst read single-bit write operation

• DQM for masking

• Auto & self refresh

• 64ms refresh period (4K Cycle)

GENERAL DESCRIPTION

The

KM44S32030

AN is 134,217,728 bits synchronous high

data rate Dynamic RAM organized as 4 x 8,388,608 words by 4

bits, fabricated with SAMSUNG′s high performance CMOS

technology. Synchronous design allows precise cycle control

with the use of system clock I/O transactions are possible on

every clock cycle. Range of operating frequencies, programma-

ble burst length and programmable latencies allow the same

device to be useful for a variety of high bandwidth, high perfor-

mance memory system applications.

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface Package

54pin

sTSOP

KM44S32030AN-G/FA 133MHz(CL=3)

KM44S32030AN-G/F8 125MHz(CL=3)

KM44S32030AN-G/FH 100MHz(CL=2)

KM44S32030AN-G/FL 100MHz(CL=3)

LVTTL

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

I/O Control

LWE

Data Input Register

LDQM

Bank Select

8M x 4

Sense AMP

8M x 4

Refresh Counter

Output Buffer

Row Decoder

Row Buffer

DQi

Address Register

CLK

ADD

Column Decoder

Col. Buffer

Latency & Burst Length

LRAS

LCBR

LCKE

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

Programming Register

LWCBR

LDQM

Timing Register

CLK

CKE

RAS

CAS

DQM

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

REV. 0.1 Apr. 1999

shrink-TSOP

KM44S32030AN

PIN CONFIGURATION

(Top view)

N.C

DDQ

N.C

DQ0

SSQ

N.C

DDQ

N.C

DQ1

SSQ

N.C

CAS

RAS

BA0

BA1

A10/AP

Preliminary

CMOS SDRAM

54Pin sTSOP

(400mil x 441mil)

(0.4 mm Pin pitch)

N.C

SSQ

N.C

DQ3

DDQ

N.C

SSQ

N.C

DQ2

DDQ

N.C

N.C/RFU

DQM

CLK

CKE

N.C

A11

PIN FUNCTION DESCRIPTION

CLK

Name

System clock

Chip select

Input Function

Active on the positive going edge to sample all inputs.

Disables or enables device operation by masking or enabling all inputs except

CLK, CKE and DQM

Masks system clock to freeze operation from the next clock cycle.

CKE should be enabled at least one cycle prior to new command.

Disable input buffers for power down in standby.

Row/column addresses are multiplexed on the same pins.

Row address : RA

~ RA

, Column address : CA

~ CA

, CA

Selects bank to be activated during row address latch time.

Selects bank for read/write during column address latch time.

Latches row addresses on the positive going edge of the CLK with RAS low.

Enables row access & precharge.

Latches column addresses on the positive going edge of the CLK with CAS low.

Enables column access.

Enables write operation and row precharge.

Latches data in starting from CAS, WE active.

Makes data output Hi-Z, t

SHZ

after the clock and masks the output.

Blocks data input when DQM active.

Data inputs/outputs are multiplexed on the same pins.

Power and ground for the input buffers and the core logic.

Isolated power supply and ground for the output buffers to provide improved noise

immunity.

This pin is recommended to be left No Connection on the device.

CKE

Clock enable

~ A

~ BA

RAS

CAS

DQM

DDQ

SSQ

N.C/RFU

Address

Bank select address

Row address strobe

Column address strobe

Write enable

Data input/output mask

Data input/output

Power supply/ground

Data output power/ground

No connection

/reserved for future use

REV. 0.1 Apr. 1999

shrink-TSOP

KM44S32030AN

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Voltage on any pin relative to Vss

Voltage on V

supply relative to Vss

Storage temperature

Power dissipation

Short circuit current

Symbol

, V

OUT

, V

DDQ

STG

Value

-1.0 ~ 4.6

-55 ~ +150

Preliminary

CMOS SDRAM

Unit

°C

Note :

Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.

Functional operation should be restricted to recommended operating condition.

Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.

DC OPERATING CONDITIONS

Recommended operating conditions (voltage referenced to V

= 0V, T

= 0 to 70°C)

Parameter

Supply voltage

Input logic high voltage

Input logic low voltage

Output logic high voltage

Output logic low voltage

Input leakage current

Symbol

, V

DDQ

Min

3.0

2.0

-0.3

2.4

-10

Typ

3.3

3.0

Max

3.6

+0.3

0.8

0.4

Unit

= -2mA

= 2mA

Note

Notes :

1. V

(max) = 5.6V AC.The overshoot voltage duration is

≤

3ns.

2. V

(min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is

≤

3ns.

3. Any input 0V

≤

DDQ

Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.

CAPACITANCE

Clock

= 3.3V, T

= 23°C, f = 1MHz, V

REF

=1.4V

200 mV)

Symbol

CLK

ADD

OUT

Min

2.5

4.0

Max

4.0

5.0

6.5

Unit

Note

RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM

Address

~ DQ

Notes :

1. -A only specify a maximum value of 3.5pF

2. -A only specify a maximum value of 3.8pF

3. -A only specify a maximum value of 6.0pF

REV. 0.1 Apr. 1999

查看更多（仅显示前5页内容，查看全部内容请下载文档。）>

KM44S32030AN-G相似产品对比

	KM44S32030AN-G	KM44S32030AN-FA	KM44S32030AN-FL	KM44S32030AN-F8	KM44S32030AN-FH
描述	Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP,	TSOP,	TSOP,	TSOP,	TSOP,
针数	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	6 ns	6 ns	6 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
长度	11.2 mm	11.2 mm	11.2 mm	11.2 mm	11.2 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX4	32MX4	32MX4	32MX4	32MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.4 mm	0.4 mm	0.4 mm	0.4 mm	0.4 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

推荐资源

MAX764,765,766的典型应用电路图b

学dsp水平: 大家实话实说阿...; guanmingbo DSP 与 ARM 处理器

NFC芯片选型及基本电路框架: NFC芯片选型及基本电路框架 RFID作为一项专业度较高的技术，在一些公司，可能还会专门招聘专业的RFID工程师。本篇阐述的涉及到的只是基本选型设计、电路框架，关于RFID天线调试、低功耗检卡调 ......; Jacktang 无线连接

如何准确地测量电源纹波？: 本帖最后由 bjhyyq 于 2017-10-31 08:49 编辑　　测量电源纹波本身有一定技巧性。图1给出了一个不当使用示波器测量电源纹波的实例。在这个例子中出现了几个错误，首先是使用了接地线很长的 ......; bjhyyq 电源技术

keil编译警告: compiling gpio.c...gpio.c(31): warning: #550-D: variable "b" was set but never usedgpio.c - 0 Error(s), 1 Warning(s). 这个警告怎么改不删除b 这变量要用到应该改哦...; duzhiming ARM技术

让我痛不欲生的一个问题。: 程序中我需要发一个AT指令：serBwrite( "AT+CMGS=15965427552", 20 ); 程序中我要将AT中的15965427552这个手机号换成是我另一个子程序中提取出的手机号，于是我赋值给一个变量num等于我提取出 ......; chnyuan 嵌入式系统

DB3 双向触发二极管 (中英文): DB3 双向触发二极管 (中英文)...; fighting 模拟电子

基于SOPC技术的医用呼吸机主控系统

　　呼吸机是可以代替人的呼吸功能或辅助人的呼吸功能的仪器。它适用于呼吸衰竭、甚至停止呼吸的病人做人工呼吸之用。它能帮助病人纠正缺氧和排出二氧化碳，是挽救某些危重病人生命的重要工具。　　现有的呼吸机产品，其主控系统大多基于单片机来实现，对于功能强一些的产品就需要使用高端单片机，这样使得系统的成本比较高，而且外围的接口模块较多，结构复杂。使用SOPC(可编程片上系统)技术设计主控系统，可充分利用I...[详细]
CSR公开展示手机蓝牙低功耗技术

　　无线技术提供商CSR公司日前在全球公开展示了手机采用CSR BlueCore7芯片的蓝牙低功耗技术。此次在旧金山召开的蓝牙技术联盟医疗工作组会议上展示了一套体重计和一个温度传感器，它们通过蓝牙低功耗技术与手机相联接。这是迈向建立标准化低功耗无线技术方向的重要一步，并强化了CSR推动蓝牙低功耗产品开发的承诺，特别是针对医疗领域的各种应用。蓝牙技术联盟有望于2009年一季度最终采用蓝牙低功耗技术...[详细]
DSP与模拟技术加速医疗电子发展

　　TI认为医疗器械在未来几年内的最大变化就是无线连接技术。它包括含远程病人监控在内的不同应用，其中远程病人监控功能将帮助医务人员无需让病人走进医院即可搜集监测其相关信息。无线连接技术与可植入设备的结合将使功能正常的大脑绕过脊椎断开部位直接连接并支配功能正常的四肢。　　应用无线连接技术可对药物释放系统进行监测、控制和优化。总之，无线连接技术将使医疗器械与决策者之间做到信息共享。可植入设备是另...[详细]
研诺的新型高集成电源管理芯片AAT2603

2008 年 7 月 9 日，研诺逻辑科技有限公司宣布推出编号为 AAT2603 的芯片，这是一款新型高度集成的电源管理芯片，专门针对移动全球定位设备 (GPS) 、便携式多媒体播放器（ PMP ）以及其它以单节锂离子电池供电的手持移动系统而设计。这款芯片在小型 4x4-mm TDFN 封装内集成了 6 种电源功能，包括两个降压转换器和 4 个 LDO ，每个都带有独立控制管脚，因此可提供设...[详细]
可嵌入心电震发生器的电击系统方案

　　可嵌入心电震发生器（Implantable Cardivoerter Defibrillators-ICD）已通用几年了。ICD在连接到心脏的两个电极之间施加高压脉冲，它随时检测心脏纤维性颤动。此脉冲可高达800V，在几毫秒期间电流达几十安培。　　用电荷泵产生高电压并把它存储存一个大电容器上。通常，电击（脉冲）通过一个2相脉冲传送到心脏。图1示出2相电震发生器系统和产生所需双相脉冲的高压桥...[详细]
非接触式高压验电器的改进(图)

　　安全是生产过程中的重中之重，对于危险性的作业尤其重要，在高压线路停电检修时必须遵循停电、验电、挂地再开始操作的规定。验电操作必须通过验电器来完成。验电器是用来检测电力设备上是否存在电压的常用电力安全工具之一，通过验电器明确验证停电设备是否确无电压，再进行其他操作，以防止出现带电装接地线（合接地刀闸)、误碰有电设备等恶性事故的发生。因此，在电力行业中验电器的作用不可忽视。　　工程背景 ...[详细]
有关独立医学实验室市场的现状与分析

　　独立医学实验室的产生背景　　上世纪五六十年代，发达国家医学的发展进步给国民健康带来了福音，但也给社会带来了沉重的经济负担。美国尤为突出，为减轻国民负担，美国政府推出“合理利用资源减少医疗开支”的策略及一系列医疗体制改革进行干预，同时引入市场机制，加剧行业竞争，最终导致医学检验行业中以集约化为核心竞争力的医学独立实验室的产生。　　当时美国出现了一些小型的医学独立实验室，为医院提供医学检验...[详细]
安捷伦推出全新逻辑分析仪16900系列

安捷伦科技隆重推出了全新的模块化主机、四倍于当前业内存储器深度的全新逻辑分析模块，以及适用于PCI Express和Altera FPGA开发者的新应用附件，从而进一部丰富了安捷伦的逻辑分析仪产品线。计算机、通信、半导体、宇航和国防、汽车和无线行业的电子设计师不断进行越来越复杂的硬件设计，设计师要用逻辑分析仪验证和调试他们的设计。伴随着高速设计的新测试挑战，需要具备测试过程中不...[详细]
中央固定集控式方向盘可减少驾驶员受伤指数

中国驾驶员不系安全带是普遍存在的事实，在这种情况下发生正面撞击，会对驾驶人员造成致命伤害。一种“非对称式”的安全气囊可以显著减少这种情况下的伤害：在利用“非对称式”安全气囊进行的中型轿车斜碰撞试验中，驾驶员的受伤指数减少了60%。这种特殊的气囊目前只安装在东风雪铁龙凯旋等拥有“中央固定集控式方向盘”的轿车上。中央固定集控式方向盘的特点是驾驶员在转向时仅仅是在转动方向盘的轮辐以及转向...[详细]
纳米医疗器械研发入快车道成开发重点

　　纳米银新涂料的开发成功将为各种医疗器械“穿上”一层具有有效抗菌作用的薄外衣，从而可大大降低病人在医院治疗期间被交叉感染的风险，节省治疗费用。　　纳米是一种长度单位（意即十亿分之一米）。纳米材料具有许多常规材料所没有的特性。迄今为止，纳米材料已在各工业领域里得到广泛的应用。医疗器械当然也不例外，“纳米医疗器械”业已成为21世纪国际医疗业新品的开发重点。　　所谓“纳米医疗器械”系指——利...[详细]
英特尔——王者归来挑战ARM

在英特尔IDF上，最引人注目的莫过于英特尔发布的Atom(凌动)品牌下的针对超低价便携PC和MID(互联网接入设备)的 Diamondville和Silverthorne处理器。其中的Silverthorne处理器由于针对MID市场，更是引起多方面关注。从MID主要针对互联网应用的特点和外形看，其剑锋无疑指向了目前也正在向互联网应用靠近的智能手机市场。按照业内人士的分析，MID和智能手机...[详细]
Intel 走过30年 ——嵌入睿智尽现精彩

英特尔庆祝服务嵌入式计算市场 30 年，并推出嵌入式四核英特尔® 至强® 处理器。 2007 年 4 月 18 日，英特尔公司在 2007 年英特尔信息技术峰会（IDF）上，召开主题为“嵌入睿智尽现精彩”的庆祝活动，纪念其产品和技术在嵌入式计算市场走过的 30 年，并回顾其创新发展的辉煌历程。英特尔公司还宣布为进一步加强对中国市场的承诺，推出具有更长生命周期支持的四核英特尔® 至...[详细]
凌利尔特具用输出断接的低噪声升压型转换器

2008 年 7 月 28 日，凌力尔特公司 ( Linear Technology Corporation ) 推出低噪声升压型转换器 LT3495/-1 ，该器件具集成的电源开关、肖特基二极管和输出断接电路。 LT3495 使用 650mA 开关，而 LT3495-1 使用 350mA 开关。这两款器件都采用 2mm x 3mm DFN-10...[详细]
ADI联手日立为高清电视推出无线视频集线器

Analog Devices, Inc.(ADI)近日宣布日立公司(Hitachi)在其最新的消费类无线传输集线器TP-WL700H中使用ADI公司的Advantiv高级电视解决方案IC，以提供高端的无线功能、灵活性和无缝高清(HD)连接。这款TP-WL700H集线器仅在日本市场供应，它是一款单机设备，专门用于为日立Wooo UT系列液晶电视提供无线高清娱乐内容。在日立公司最新的无线视频集线...[详细]
东芝高清数字电视一体机电子博览会上获奖

在刚刚落幕的中国国际消费电子博览会（SINOCES）上，东芝睿智的X3300、ZF500及新上市的XV500系列高清地面数字一体机脱颖而出，一举摘得“2008年中国十佳平板电视”和“高清数字电视产业推进奖”桂冠。中国电子商会相关负责人指出，随着国家相关部委《关于鼓励数字电视产业发展的若干政策》发布实施，中国六大奥运城市和广州、深圳地面数字信号的相继开通，为数字电视一体机产品提供了...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多