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MC-458CB646LFA-A10

产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, MOS, DIMM-168
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文件大小207KB,共16页
制造商NEC(日电)
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MC-458CB646LFA-A10概述

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, MOS, DIMM-168

MC-458CB646LFA-A10规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

MC-458CB646LFA-A10相似产品对比

MC-458CB646LFA-A10 MC-458CB646LFA-A80
描述 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, MOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, MOS, DIMM-168
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电)
零件包装代码 DIMM DIMM
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8MX64 8MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
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