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U1GWJ2C49TE12L

产品描述DIODE 0.5 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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U1GWJ2C49TE12L概述

DIODE 0.5 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

U1GWJ2C49TE12L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流0.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置SINGLE

U1GWJ2C49TE12L相似产品对比

U1GWJ2C49TE12L U1GWJ2C49TE12R
描述 DIODE 0.5 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.5 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 0.5 A 0.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 40 V 40 V
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE
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