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RN1132MFV(TL3PAV)

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小175KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1132MFV(TL3PAV)概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

RN1132MFV(TL3PAV)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

RN1132MFV(TL3PAV)相似产品对比

RN1132MFV(TL3PAV) RN1132MFV(TPL3) RN1131MFV(TL3,T) RN1132MFV
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon trans prebias npn 150mw vesm TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VESM, 2-1L1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown unknown - unknown

 
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