PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
最小直流电流增益 (hFE) | 120 |
元件数量 | 2 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.1 W |
表面贴装 | YES |
晶体管元件材料 | SILICON |
RN1911FE(TE85L,F) | RN1910FE(TE85L) | RN1911FE(TE85L) | RN1911FE(TPL3) | |
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描述 | PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP | RN1910FE(TE85L) | RN1911FE(TE85L) | PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
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