GS880E18CT-150,GS880E18CT-150 pdf中文资料,GS880E18CT-150引脚图,GS880E18CT-150电路-Datasheet-电子工程世界

GS880E18CT-150: 产品描述Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小361KB，共24页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS880E18CT-150概述

Cache SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	PIPELINED/FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT ALSO OPERATES WITH 3 V TO 3.6 V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)	150 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
长度	20 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	100
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.025 A
最小待机电流	2.3 V
最大压摆率	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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