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NTD6415ANT4G

产品描述23A, 100V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 369AA-01, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小818KB,共8页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准
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NTD6415ANT4G概述

23A, 100V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 369AA-01, DPAK-3

NTD6415ANT4G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
包装说明ROHS COMPLIANT, CASE 369AA-01, DPAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 369AA-01
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)79 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)23 A
最大漏源导通电阻0.055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)89 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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