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MCM69R736ZP6R

产品描述Cache SRAM, 128KX36, 3ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
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文件大小774KB,共20页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MCM69R736ZP6R概述

Cache SRAM, 128KX36, 3ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

MCM69R736ZP6R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明BGA,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A

MCM69R736ZP6R相似产品对比

MCM69R736ZP6R MCM69R818ZP5R MCM69R736ZP5R
描述 Cache SRAM, 128KX36, 3ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 Cache SRAM, 256KX18, 2.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119 Cache SRAM, 128KX36, 2.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
包装说明 BGA, BGA, BGA,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) -
最长访问时间 - 2.5 ns 2.5 ns
JESD-30 代码 - R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
长度 - 22 mm 22 mm
内存密度 - 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 - CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 - 18 36
功能数量 - 1 1
端口数量 - 1 1
端子数量 - 119 119
字数 - 262144 words 131072 words
字数代码 - 256000 128000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 - 256KX18 128KX36
输出特性 - 3-STATE 3-STATE
可输出 - YES YES
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - BGA BGA
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 2.4 mm 2.4 mm
最大供电电压 (Vsup) - 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) - 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) - 3.3 V 3.3 V
表面贴装 - YES YES
技术 - BICMOS BICMOS
端子形式 - BALL BALL
端子节距 - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 - BOTTOM BOTTOM
宽度 - 14 mm 14 mm
Base Number Matches - 1 1

 
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