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CBR35-100

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 1000V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小27KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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CBR35-100概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 1000V V(RRM), Silicon

CBR35-100规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码S-PUFM-D4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度175 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

 
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