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TMS4164-12FPL

产品描述64KX1 PAGE MODE DRAM, 120ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18
产品类别存储    存储   
文件大小462KB,共19页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

TMS4164-12FPL概述

64KX1 PAGE MODE DRAM, 120ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18

TMS4164-12FPL规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码QFN
包装说明QCCJ, LDCC18,.33X.53
针数18
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式PAGE
最长访问时间120 ns
其他特性RAS ONLY REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PQCC-J18
长度10.795 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC18,.33X.53
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
座面最大高度3.5 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.24 mm

TMS4164-12FPL相似产品对比

TMS4164-12FPL TMS4164-12NL TMS4164-15FPL TMS4164-20FPL TMS4164-20NL TMS4164-15NL
描述 64KX1 PAGE MODE DRAM, 120ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18 64KX1 PAGE MODE DRAM, 120ns, PDIP16 64KX1 PAGE MODE DRAM, 150ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18 64KX1 PAGE MODE DRAM, 200ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18 64KX1 PAGE MODE DRAM, 200ns, PDIP16 64KX1 PAGE MODE DRAM, 150ns, PDIP16
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 QCCJ, LDCC18,.33X.53 DIP, DIP16,.3 QCCJ, LDCC18,.33X.53 QCCJ, LDCC18,.33X.53 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 120 ns 120 ns 150 ns 200 ns 200 ns 150 ns
其他特性 RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PQCC-J18 R-PDIP-T16 R-PQCC-J18 R-PQCC-J18 R-PDIP-T16 R-PDIP-T16
长度 10.795 mm 19.305 mm 10.795 mm 10.795 mm 19.305 mm 19.305 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 18 16 18 18 16 16
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX1 64KX1 64KX1 64KX1 64KX1 64KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ DIP QCCJ QCCJ DIP DIP
封装等效代码 LDCC18,.33X.53 DIP16,.3 LDCC18,.33X.53 LDCC18,.33X.53 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256 256 256 256
座面最大高度 3.5 mm 5.08 mm 3.5 mm 3.5 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES YES NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL QUAD QUAD DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.24 mm 7.62 mm 7.24 mm 7.24 mm 7.62 mm 7.62 mm

 
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