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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1501(TE85L)
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RN1501(TE85L)

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小457KB，共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1501(TE85L)概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1501(TE85L)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数5
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G5
元件数量2
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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RN1501∼RN1506
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1501,RN1502,RN1503
RN1504,RN1505,RN1506
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including two devices in SMV
(super mini type with 5 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2501~RN2506
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Type No.
RN1501
RN1502
RN1503
RN1504
RN1505
RN1506
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-3L1A
Weight: 6.8mg (typ.)
Equivalent Circuit
(Top View)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1501~1506
RN1501~1506
RN1501~1504
RN1505, 1506
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
300
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*
Total rating
1
2007-11-01

RN1501(TE85L)相似产品对比

RN1501(TE85L) RN1501-11 RN1501TE85R RN1501(TE85R) RN1501TE85L RN1501(TE85L2)
描述 TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTORS BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5 R-PDSO-G5
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 5 5 5 5 5 5
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数 5 5 - 5 - 5
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 - EAR99
最小直流电流增益 (hFE) 30 - 30 30 30 30
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
标称过渡频率 (fT) 250 MHz - 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
是否无铅 - 含铅 含铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 - 不符合
JESD-609代码 - e0 e0 e0 - e0
峰值回流温度（摄氏度） - 240 240 240 - 240
端子面层 - TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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