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2MBI200VH-120-50: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小357KB，共6页; 制造商Fuji Electric Co Ltd; 标准

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2MBI200VH-120-50概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Fuji Electric Co Ltd
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	240 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-XUFM-X7
元件数量	2
端子数量	7
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1110 W
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	800 ns
标称接通时间 (ton)	600 ns
VCEsat-Max	2.4 V

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