CXK79M18C165GB-33,CXK79M18C165GB-33 pdf中文资料,CXK79M18C165GB-33引脚图,CXK79M18C165GB-33电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CXK79M18C165GB-33

CXK79M18C165GB-33: 产品描述Standard SRAM, 1MX18, 1.8ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-209; 产品类别存储存储; 文件大小550KB，共30页; 制造商SONY(索尼); 官网地址http://www.sony.co.jp

下载文档详细参数选型对比全文预览

CXK79M18C165GB-33概述

Standard SRAM, 1MX18, 1.8ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-209

CXK79M18C165GB-33规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SONY(索尼)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA209,11X19,40
针数	209
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	1.8 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)	303 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B209
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	209
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA209,11X19,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.3 mm
最小待机电流	1.7 V
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	14 mm

CXK79M18C165GB-33相似产品对比

	CXK79M18C165GB-33	CXK79M18C165GB-5	CXK79M18C165GB-4
描述	Standard SRAM, 1MX18, 1.8ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-209	Standard SRAM, 1MX18, 2.3ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-209	Standard SRAM, 1MX18, 2.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-209
厂商名称	SONY(索尼)	SONY(索尼)	SONY(索尼)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA, BGA209,11X19,40	BGA, BGA209,11X19,40	BGA, BGA209,11X19,40
针数	209	209	209
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	1.8 ns	2.3 ns	2.1 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)	303 MHz	200 MHz	250 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209	R-PBGA-B209
长度	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	18	18	18
功能数量	1	1	1
端子数量	209	209	209
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
组织	1MX18	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA209,11X19,40	BGA209,11X19,40	BGA209,11X19,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.3 mm	2.3 mm	2.3 mm
最小待机电流	1.7 V	1.7 V	1.7 V
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	14 mm	14 mm
是否无铅	含铅	-	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	不符合
JESD-609代码	e0	-	e0
峰值回流温度（摄氏度）	240	-	240
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间	10	-	10

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多